Длина и ширина германии: География и климат | Факты о Германии

Факты о Сапсан — Туту.ру

Сапсан – это скоростной электрический поезд, созданный компанией Siemens, и адаптированный для эксплуатации на железных дорогах России. Начало сообщения между Москвой и Санкт-Петербургом было положено в декабре 2009 года. Чуть позднее, летом 2010 года, точнее в июле, Сапсаны начали ходить и между Москвой и Нижним Новгородом. (Расписание движения Сапсана).

17 декабря 2009 года считается не только «днем рождения» «Сапсана», но и получила второе название — День высоких скоростей. В 2014 году было отпраздновано пятилетие движения «Сапсана» по маршруту между двумя столицами.

В оригинале поезд, произведенный в Германии, носит название Velaro (производственное обозначение поезда — Velaro RUS), но в нашей стране ему было дано название, обозначающее самого быстрого в мире сокола — сапсана.

«Сапсан» стал первым поездом в России, сесть на который нельзя без предварительного досмотра. Он касается как багажа, так и самих пассажиров поезда.

Конструктивные особенности поезда Сапсан

Несмотря на то, что поезд Сапсан конструировался компанией Siemens в Германии, на основе стандартной платформы Velaro, которая используется в Европе, для территории России были введены некоторые конструкторские изменения. Например Сапсан, русская версия Velaro, способен функционировать при температурах воздуха достигающих -50°C, что превышает термические характеристики европейского собрата. Колея Сапсанов тоже больше, чем у Velaro, и это связанно с особенностями железнодорожного полотна в России. В связи с этим изменением расширился и салон, более чем на 0.3 метра.

Velaro развивает скорость вплоть до 350 км/ч, но для Сапсана были введены ограничения, снизившие максимальную скорость до 250 км/ч. Однако существуют планы по увеличению этого показателя до 330 км/ч.

Технические характеристики поезда Сапсан:

Обслуживание поезда Сапсан

Компания Siemens, разработавшая поезда Velaro и реконфигурировавшая их в Сапсаны, имеет контракт на тридцатилетнее обслуживание этих железнодорожных составов. Общее количество поездов, прибывших в Россию в 2010 году — 8 штук.

Впервые запущенные в декабре 2009 года, поезда Сапсан курсировали по маршруту Москва — Санкт-Петербург и в обратном направлении три раза в день. Позднее в 2010 году к городам, до которых можно добраться на Сапсане, добавился и Нижний Новгород. Также в планы входило до 2015 года запустить еще 8 составов, с помощью которых расширить список городов, обслуживаемых этими скоростными поездами. Среди предполагаемых городов значились: Казань, Самара, Ульяновск и другие.

Обслуживаются поезда в специально оборудованном депо, находящемся в Санкт-Петербурге, в поселке Металлострой. Здесь «Сапсаны» ремонтируют, моют, чистят. Кроме «Сапсана», в этом же депо обслуживается электропоезд «Ласточка».

Германия. Ограничение скорости, разрешенные весовые и габаритные параметры, требования к ТС в зимний период и особенности дорожного движения

Ограничение скорости (км/ч)

При перевозках опасных грузов действуют такие же скоростные ограничения.

В условиях плохой видимости (плохие погодные условия, снегопад, когда видимость снижается до 50 м) максимальная скорость ограничивается 50 км/ч. При видимости менее 50 м обгон запрещен.

Транспортным средствам более 3,5 т необходимо соблюдать дистанцию в минимум 50 м от впереди идущего транспортного средства.

Допустимые габаритные размеры (м)

Примечания:

^[1] — максимальная общая длина тягача с полуприцепом — 16,50 м в случае, если расстояние между шкворнем и задней стенкой полуприцепа не более 12,00 м и расстояние, измеренное горизонтально, от шкворня до любой точки передней стенки полуприцепа не более 2,04 м. В остальных случаях максимальная длина — 15,50 м.

^[2] — максимальная общая длина автомоезда — 18,75 м в случае, если максимально разрешенная длина составляющих не превышена: длина зоны загрузки — 15,65 м и максимальное расстояние между двумя крайними внешними точками зоны загрузки (от ее начала за кабиной до задней стенке прицепа) — 16,40 м.

^[3] — свес не должен превышать 0,5 м спереди (только для транспортных средств выше, 25,0 м) и не более 1,50 м сзади.

Допустимые нагрузки на ось (т)

Максимально разрешенный вес (т)

Примечания:

^[4] — если сдвоенные оси удовлетворяют условиям:

• расстояние между осями 1,3 м и более, но не больше 1,8 м,
• на ведущей оси — сдвоенные шины и
• нагрузка на отдельную ось не более 9,5 т.

^[5] — если:

• либо транспортное средство имеет две сдвоенные оси, расстояние между центрами которых составляет не менее 4,0 м,
• либо транспортное средство имеет две управляемые оси, сдвоенные оси удовлетворяют требованиям, изложенным выше примечании ^[4], и максимально допустимая нагрузка составляет не более 5,0 тонн на каждый метр расстояния между центрами передней и задней осей.

^[6] — при перевозках 40-футовых контейнеров, а также при выполнении перевозок на первом и последнем этапах комбинированных перевозок:

• автомобиль/железная дорога: от места погрузки или разгрузки на ж/д станции до места назначения в радиусе не более 150 км от нее;
• внутренний водный транспорт/автомобиль: от места погрузки или разгрузки в речном порту до места назначения в радиусе не более 150 км от него;
• море/автомобиль (плечо перевозки морем более 100 км): от места погрузки или разгрузки в морском порту до места назначения в радиусе не более 150 км от него.

Требования к ТС в зимний период

Цепи противоскольжения

Иметь на борту транспортного средства цепи противоскольжения не обязательно. Однако, при снежном покрове на дороге на тех участках, которые отмечены специальным знаком, использование цепей противоскольжения обязательно. Также на борту автомобиля должны быть лопата, буксирный трос; цепи противоскольжения должны быть надеты на колеса ведущей оси.

Транспортные средства, оборудованные цепями противоскольжения, не должны развивать скорость более 50 км/ч.

Зимние шины

Грузовые автомобили категорий N2 и N3, автобусы  категорий M2 и M3 должны быть укомплектованы зимними шинами с маркировкой M+S, M.S. или M&S в  случае снегопада, гололеда или оттепели на :

—  ведущих осях;

—  не позднее 01.07.2020г. на передней управляемой оси 

 Зимние шины не являются обязательными для прицепа/полуприцепа.

 Минимальная глубина протектора для всех типов шин — 1,6 мм.

 Санкции

 Основной штраф за несоблюдение законодательства в части оборудования АТС зимними шинами для:

— водителя 60 евро, но он может быть увеличен до 80 евро (и 1 штрафное очко в немецкий Fahreignungsregister (FAER)*)

— владельца транспортного средства 75 евро

 * FAER:

Fahreignungsregister — реестр, фиксации нарушений правил дорожного движения водителем.  Распространяется также и на иностранных водителей, которые управляют АТС в Германии. В случае набора восьми штрафных очков, запрещается вождение АТС в Германии, в том числе и иностранным водителям.

  Источник: BGL, сентябрь 2017

Особенности движения

• при управлении автомобилем запрещено использовать мобильные телефоны без оборудования «hands-free»;
• при намерении съехать с кругового перекрестка необходимо включать соответствующие сигналы поворотника, так же на круговом перекрестке запрещена остановка;
• на борту транспортных средств, перевозящих опасные грузы, должен быть огнетушитель;
• транспортным средствам более 7,5 т запрещено двигаться в левой полосе, когда при плохих погодных условиях видимость снижается до 50 м.

Дорожные знаки

Въезд в населенный пункт и направления движения обозначаются знаком с черными буквами на желтом фоне.

Скоростные автомагистрали (автобаны) обозначаются белыми буквами на голубои фоне.

АСМАП по информации МСАТ

Новая грань германия | MIT News

Хотя кремний является рабочей лошадкой полупроводниковой промышленности, образуя основу для компьютерных чипов, датчиков камер и других повседневных электронных устройств, исследователи и производители добавляют другие материалы, такие как германий, для повышения скорости обработки кремниевых чипов, снижения энергопотребления. потребления и создавать новые функции, такие как фотонные соединения, которые используют свет вместо электрического тока для передачи данных.

Уже около десяти лет исследователям известно, что куполообразные пустые пространства образуются в германии, когда он выращивается поверх кремния с диэлектрическим материалом, таким как оксид кремния или нитрид кремния, который маскирует часть кремниевой основы. Теперь исследователи Массачусетского технологического института открыли метод прогнозирования и контроля длины туннелей в твердом германии путем выращивания его на полосках оксида кремния поверх кремния. Эти туннели могут быть использованы в качестве световых каналов для кремниевой фотоники или жидкостных каналов для микрожидкостных устройств.

«Мы обнаружили туннель или полость поверх диоксида кремния, который находится между германием и диоксидом кремния, и мы можем варьировать длину туннеля в зависимости от длины оксида», — говорит Руи-Тао Вен, бывший постдоктор Массачусетского технологического института и первый автор недавней статьи в Nano Letters . Вэнь в настоящее время является доцентом кафедры материаловедения и инженерии в Южном университете науки и технологии в Шэньчжэне, Китай.

Исследователи использовали двухэтапный процесс выращивания, при котором сначала наносится слой германия при относительно более низкой температуре, а затем добавляется еще один слой германия при относительно более высокой температуре. Слои германия с трудом прикрепляются непосредственно к полоскам оксида кремния. «Главное открытие заключалось в том, что вы формируете эти полости или туннели, и они фактически меняют конфигурацию во время роста или отжига», — говорит Юрген Мишель, старший научный сотрудник Лаборатории исследования материалов и старший преподаватель Департамента материаловедения и инженерии. «Внутренняя реконфигурация — это основное научное явление, которого, я думаю, никто не ожидал».

Эволюция с течением времени

В ходе своих экспериментов, на проведение которых ушел год, первый автор Вэнь проанализировал поперечные сечения германий-кремниевого оксида с помощью просвечивающего электронного микроскопа (ПЭМ), получив изображения в нескольких точках в время его формирования. Перед фактическим анализом своих результатов исследователи ожидали, что после образования туннелей они сохранят одну и ту же форму на протяжении всего процесса. Вместо этого они обнаружили, что большое количество материала перестраивается в этом пространстве по мере его эволюции с течением времени. «Это то, чего еще никто не наблюдал, что вы действительно можете получить, то, что мы называем внутренней реконфигурацией материала», — говорит Мишель.

«Например, туннель становится больше, часть связанного материала полностью исчезает, а поверхности туннеля идеальны в том смысле, что они атомарно плоские», — говорит Мишель. «На самом деле они образуют так называемые грани, которые представляют собой определенные кристаллографические ориентации германия».

Высокое разрешение, которое Вэнь получил с помощью ПЭМ-изображений, неожиданно показало, что эти внутренние поверхности имеют идеальные поверхности. «Обычно, если мы проводим эпитаксиальный рост германия на кремнии, мы находим очень много дислокаций», — говорит Вэнь. «В верхней части туннелей нет ни одного из этих дефектов. Это не те материалы, которые были у нас раньше, в которых много дислокаций в германиевых слоях. Это совершенный монокристалл». Соавтор Баоминг Ван подготовил образцы ПЭМ. Ван — постдоктор в исследовательской группе профессора Карла В. Томпсона «Материалы для микро- и наносистем».

В процессе роста, называемого селективной эпитаксией, газ, содержащий соединение германия и водорода (герман), поступает в камеру химического осаждения из паровой фазы в сверхвысоком вакууме. Сначала германий осаждается на кремнии, затем он медленно зарастает полосками оксида кремния, образуя туннель в форме арки с центром непосредственно над полосками оксида.

Полоски оксида кремния с узором Wen длиной до 2 сантиметров (около трех четвертей дюйма) на 6-дюймовой (около 15 см) кремниевой пластине с туннелями, покрывающими всю длину полоски. Сами полоски имели размеры от 350 до 750 нанометров в ширину и от 2 микрон до 2 см в длину. По мнению Мишеля, единственным ограничением длины туннеля является размер кремниевого базового слоя. «Мы видим, что концы этой полосы частично покрыты германием, но тогда длина туннеля увеличивается с длиной полосы. И это линейный процесс», — говорит он.

Условия выращивания

В этих экспериментах давление в туннелях составляло около 10 миллибар, что примерно в 100 раз меньше атмосферного давления на уровне моря. Предлагая механизм образования туннелей, Мишель объясняет, что германий не может образовывать стабильный оксид германия непосредственно поверх оксида кремния в условиях высокой температуры и сверхвысокого вакуума, поэтому процесс медленно расходует оксид. «Вы теряете часть толщины оксида во время выращивания, но область остается чистой», — говорит он. Вместо того, чтобы быть пустыми, туннели, вероятно, заняты газообразным водородом, который присутствует, потому что германиевый газ разделяется на компоненты германия и водорода.

Другим удивительным открытием было то, что германий, растекаясь по полоскам оксида кремния, сначала распространяется неравномерно, покрывая дальние концы полоски, а затем перемещаясь к центрам полосок. Но по мере продолжения этого процесса непокрытая площадь оксида кремния сжимается от овальной формы до круга, после чего германий равномерно растекается по оставшейся непокрытой площади.

«Влияние длины оксидной полосы на формирование туннеля удивительно и заслуживает дальнейшего объяснения, как для теоретического понимания, так и для возможных приложений», — говорит Тед Каминс, адъюнкт-профессор электротехники в Стэнфордском университете, который не участвовал в этом исследовании. «Конечные эффекты могут быть полезны для введения жидкостей или газов в туннели. Зарастание только с концов оксидной полосы также неожиданно для четырехкратно симметричных материалов, таких как Si (кремний) и Ge (германий)».

«Если этот метод можно будет контролировать и воспроизвести, он может быть применен к фотонике, где резкое изменение показателя преломления может помочь направлять свет, и к микрофлюидике, интегрированной в кремниевый чип», — говорит Каминс.

«Результаты совершенно потрясающие и шокирующие — у меня отвисает челюсть, когда я просматриваю фотографии, полученные с помощью электронной микроскопии», — говорит Цзифэн Лю, адъюнкт-профессор инженерных наук в Дартмутском колледже, который не участвовал в этом исследовании. «Представьте, что все опоры в середине моста Лонгфелло постепенно и спонтанно перемещаются к берегам, и однажды вы обнаружите, что весь мост полностью подвешен посередине! Это было бы аналогично тому, о чем сообщается в этой статье в микроскопическом масштабе».

В качестве постдока в Массачусетском технологическом институте с 2007 по 2010 год Лю работал над первым германиевым лазером и первым германий-кремниевым электроабсорбционным модулятором вместе с Юргеном Мишелем и Лайонелом К. Кимерлингом, профессором материаловедения и инженерии имени Томаса Лорда. В Дартмуте Лю продолжает исследования германия и других материалов, таких как соединения германия и олова, для фотонной интеграции на кремниевых платформах.

«Я надеюсь, что эти прекрасные и шокирующие результаты также напомнят всем нам о первостепенной важности практических экспериментальных исследований и обучения даже в эпоху становления искусственного интеллекта и машинного обучения — вы просто не можете рассчитать и предсказать все, даже в процессе роста материала, который изучается уже три десятилетия», — говорит Лю.

Каминс отмечает, что «это экспериментальное исследование дало значительный объем данных, которые следует использовать для понимания механизмов. Затем эту технику можно оценить на предмет ее практичности для приложений».

Мишель отмечает, что, хотя данные о формировании туннеля были продемонстрированы в конкретной системе выращивания германия на кремнии с использованием оксида кремния для формирования шаблона роста, эти результаты также должны быть применимы к аналогичным системам выращивания, основанным на комбинациях таких элементов, как алюминий, галлий, и мышьяк или индий и фосфор, которые называются полупроводниковыми материалами III-V. «В любой системе роста, где у вас есть этот выборочный рост, вы должны иметь возможность создавать туннели и пустоты», — говорит Мишель.

Необходимо провести дополнительные эксперименты, чтобы увидеть, может ли этот процесс производить устройства для микрофлюидики, фотоники или, возможно, совместного пропускания света и жидкости. «Это самый первый шаг к приложениям, — говорит Мишель.

Это исследование было поддержано Национальным научным фондом.

Электрические характеристики германиевых нанопроволок с использованием симметричной конфигурации холловского стержня: зависимость от размера и формы П.

, Петков Н., Лонг Б. и др. Снижение сопротивления доступа в Ge-нанопроволоках и подложках на основе неразрушающей диффузии легирующей примеси из источника газа. Дж. Матер. хим. К. 2014; 2:9248–9257. doi: 10.1039/C4TC02018A. [CrossRef] [Google Scholar]

2. Goley P.S., Hudait M.K. Полевые транзисторы на основе германия: проблемы и возможности. Материалы. 2014;7:2301–2339. doi: 10.3390/ma7032301. [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

3. Сгуру Э., Панайотатос Ю., Вовк Р., Куганатан Н., Хронеос А. Диффузия и активация легирующей примеси в германии: выводы из недавних экспериментальных и Теоретические результаты. заявл. науч. 2019;9:2454. дои: 10.3390/приложение9122454. [CrossRef] [Google Scholar]

4. Tutuc E., Appenzeller J., Reuter M.C., Guha S. Реализация линейного германиевого нанопроволочного p-n перехода. Нано Летт. 2006; 6: 2070–2074. doi: 10.1021/nl061338f. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

5. Систани М., Штаудингер П., Лугштейн А. Контроль полярности в нанопроволоках Ge с помощью электронного легирования поверхности. Дж. Физ. хим. C. 2020; 124:19858–19863. doi: 10.1021/acs.jpcc.0c05749. [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

6. John J.W., Dhyani V., Georgiev Y.M., Gangnaik A.S., Biswas S., Holmes J.D., Das A.K., Ray S.K., Das S. Сверхвысокая отрицательная инфракрасная фотопроводимость в германиевых нанопроволоках с высоким содержанием As, индуцированная захватом горячих электронов. Приложение ACS Электрон. Матер. 2020; 2: 1934–1942. doi: 10.1021/acsaelm.0c00245. [CrossRef] [Google Scholar]

7. Zhang S., Hemesath E.R., Perea D.E., Wijaya E., Lensch-Falk J.L., Lauhon L.J. Относительное влияние поверхностных состояний и объемных примесей на электрические свойства нанопроволок Ge. Нано Летт. 2009 г.;9:3268–3274. дои: 10.1021/nl

8u. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

8. Cui Y., Duan X., Hu J., Lieber C.M. Легирование и электрический транспорт в кремниевых нанопроволоках. Дж. Физ. хим. Б. 2000; 104:5213–5216. doi: 10.1021/jp0009305. [CrossRef] [Google Scholar]

9. Garnett E.C., Tseng Y.C., Khanal D.R., Wu J., Bokor J., Yang P. Профилирование легирующих примесей и анализ поверхности кремниевых нанопроволок с использованием вольт-фарадных измерений. Нац. нанотехнологии. 2009; 4: 311–314. doi: 10.1038/nnano.2009.43. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

10. Мэнсфилд Л., Бертнесс К.А., Бланшар П.Т., Харви Т.Е., Сандерс А.В., Сэнфорд Н.А. Концентрация носителей в нанопроволоках GaN рассчитана на основе измерений сопротивления света и темноты. Дж. Электрон. Матер. 2009; 38: 495–504. doi: 10.1007/s11664-009-0672-z. [CrossRef] [Google Scholar]

11. Dufouleur J., Colombo C., Garma T., Ketterer B., Uccelli E., Nicotra M., Fontcuberta i Morral A. Механизмы P-допинга в арсениде галлия без катализатора нанопроволоки. Нано Летт. 2010;10:1734–1740. doi: 10.1021/nl100157w. [PubMed] [CrossRef] [Академия Google]

12. Galluccio E., Doherty J. , Biswas S., Holmes J.D., Duffy R. Показатели качества полевых транзисторов для Ge1-xSn x (x = 0,03–0,09), выращенных в твердом состоянии (x = 0,03–0,09). . Приложение ACS Электрон. Матер. 2020;2:1226–1234. doi: 10.1021/acsaelm.0c00036. [CrossRef] [Google Scholar]

13. Вуннике О. Емкость затвора полевых транзисторов с нанопроволокой с обратным затвором. заявл. физ. лат. 2006;89:083102. дои: 10.1063/1.2337853. [CrossRef] [Google Scholar]

14. Ханал Д., Ву Дж. Связь затвора и распределение заряда в полевых транзисторах с нанопроволокой. Нано Летт. 2007; 7: 2778–2783. doi: 10.1021/nl071330l. [PubMed] [CrossRef] [Академия Google]

15. Халтин О., Отнес Г., Боргстрем М.Т., Бьорк М., Самуэльсон Л., Сторм К. Сравнение измерений эффекта Холла и полевого эффекта на одной и той же нанопроволоке. Нано Летт. 2016;16:205–211. doi: 10.1021/acs.nanolett.5b03496. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

16. Халтин О., Отнес Г., Самуэльсон Л., Сторм К. Упрощение характеристики эффекта Холла нанопроволоки с помощью конструкции устройства с тремя зондами. Нано Летт. 2017;17:1121–1126. doi: 10.1021/acs.nanolett.6b04723. [PubMed] [CrossRef] [Академия Google]

17. Storm K., Halvardsson F., Heurlin M., Lindgren D., Gustafsson A., Wu P.M., Monemar B., Samuelson L. Измерение эффекта Холла с пространственным разрешением в одном полупроводниковом нанопроводе. Природа Нанотехнологии. 2012;7:718. doi: 10.1038/nnano.2012.190. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

18. Blömers C., Grap T., Lepsa M., Moers J., Trellenkamp S., Grützmacher D., Lüth H., Schäpers T. Измерения эффекта Холла на InAs нанопроволоки. заявл. физ. лат. 2012;101:152106. дои: 10.1063/1.4759124. [CrossRef] [Google Scholar]

19. Heurlin M., Hultin O., Storm K., Lindgren D., Borgström M.T., Samuelson L. Синтез легированных InP нанопроволок ядро-оболочка, оцененный с использованием измерения эффекта Холла. Нано Летт. 2014; 14:749–753. doi: 10.1021/nl404039d. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

20. Линдгрен Д., Халтин О., Хёрлин М., Сторм К., Боргстрем М. Т., Самуэльсон Л., Густафссон А. Изучение концентрации носителей в одиночных нанопроволоках InP методом люминесценции и измерения Холла. Нанотехнологии. 2015;26:045705. дои: 10.1088/0957-4484/26/4/045705. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

21. DeGrave J.P., Liang D., Jin S. Общий метод измерения эффекта Холла в нанопроволоках: примеры FeS2 и MnSi. Нано Летт. 2013;13:2704–2709. doi: 10.1021/nl400875z. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

22. Верма А., Борисов К., Коннотон С., Стаменов П. Измерения эффекта Холла во вращающемся магнитном поле на кремниевых нанопроволоках с длиной волны менее 30 нм, изготовленных методом сверху вниз. Подход. IEEE транс. Электронные устройства. 2020;67:5201–5208. дои: 10.1109/ТЭД.2020.3023060. [CrossRef] [Google Scholar]

23. Chen K., Zhao X., Mesli A., He Y., Dan Y. Динамика носителей заряда в фотопроводниках из кремниевых нанопроволок, выявленная с помощью фотоизмерений эффекта Холла. АКС Нано. 2018;12:3436–3441. doi: 10.1021/acsnano. 8b00004. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

24. Донг Р., Хан П., Арора Х., Баллабио М., Каракус М., Чжан З., Шекхар С., Адлер П., Петков П.С., Эрбе А. и др. Высокоподвижный ленточный перенос заряда в полупроводниковом двумерном металлоорганическом каркасе. Нац. Матер. 2018;17:1027–1032. doi: 10.1038/s41563-018-0189-з. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

25. Посмотрите Электрические характеристики GaAs материалов и устройств постоянного тока. Джон Уайли и сыновья; Чечистер, Великобритания: 1989. [Google Scholar]

26. Намацу Х., Ямагути Т., Нагасе М., Ямадзаки К., Курихара К. Наноструктура водородного силсесквиоксанового резиста с уменьшенными колебаниями ширины линии. Микроэлектрон. англ. 1998;41:331–334. doi: 10.1016/S0167-9317(98)00076-8. [CrossRef] [Google Scholar]

27. Георгиев Ю., Хеншель В., Фукс А., Курц Х. Шероховатость поверхности водородного силсесквиоксана как сопротивление электронному пучку отрицательного тона. Вакуум. 2005; 77: 117–123. doi: 10. 1016/j.vacuum.2004.07.080. [Перекрестная ссылка] [Академия Google]

28. Мирза М.М., Чжоу Х., Вельха П., Ли С., Дочерти К.Е., Самарелли А., Тернент Г., Пол Д.Дж. Нанопроизводство кремниевых нанопроволок размером менее 10 нм с высоким соотношением сторон (~ 50: 1) с использованием индуктивно-связанного плазменного травления. Дж. Вак. науч. Технол. Б Нанотехнологии. Микроэлектрон. Матер. Процесс. Изм. Феном. 2012;30:06FF02. doi: 10.1116/1.4755835. [CrossRef] [Google Scholar]

29. Гангнаик А.С., Георгиев Ю.М., Коллинз Г., Холмс Дж.Д. Новая модификация поверхности германия для формирования рисунка размером менее 10 нм с помощью электронно-лучевой литографии и водородного силсесквиоксанового резиста. Дж. Вак. науч. Технол. Б Нанотехнологии. Микроэлектрон. Матер. Процесс. Изм. Феном. 2016;34:041603. дои: 10.1116/1.4948916. [CrossRef] [Google Scholar]

30. Хеншель В., Георгиев Ю., Курц Х. Исследование высококонтрастного процесса для водородного силсесквиоксана в качестве резиста электронного луча отрицательного тона. Дж. Вак. науч. Технол. Б Микроэлектрон. Нанометр Структура. Процесс. Изм. Феном. 2003;21:2018–2025. дои: 10.1116/1.1603284. [CrossRef] [Google Scholar]

31. Ван дер Пау Л. Дж. Метод измерения удельного сопротивления и коэффициента Холла на ламелях произвольной формы. Филипс Тех. 1958; 20: 220–224. [Google Академия]

32. Фукс К. Проводимость тонких металлических пленок согласно электронной теории металлов. Мат. проц. Камб. Филос. соц. 1938; 34: 100–108. doi: 10.1017/S0305004100019952. [CrossRef] [Google Scholar]

33. Дингл Р. Электропроводность тонких проводов. проц. Р. Соц. Лонд. сер. Математика. физ. науч. 1950; 201: 545–560. [Google Scholar]

34. Морага Л., Аренас С., Энрикес Р., Солис Б. Влияние шероховатости поверхности и зернограничного рассеяния на электропроводность тонких металлических проводов. физ. Статус Солид. 2015;252:219–229. doi: 10.1002/pssb.201451202. [CrossRef] [Google Scholar]

35. Чемберс Р. Проводимость тонких проводов в магнитном поле. проц. Р. Соц. Лонд. сер. Математика. физ. науч. 1950; 202: 378–394. [Google Scholar]

36. Prucnal S., Berencén Y., Wang M., Grenzer J., Voelskow M., Hübner R., Yamamoto Y., Scheit A., Bärwolf F., Zviagin V. и др. . Изменение деформации и запрещенной зоны в сплавах Ge-Sn с помощью легирования фосфором. физ. Преподобный заявл. 2018;10:064055. doi: 10.1103/PhysRevApplied.10.064055. [Перекрестная ссылка] [Академия Google]

37. Освальд С., Мочалин В., Гавел М., Юшин Г., Гогоци Ю. Эффекты удержания фононов в рамановском спектре наноалмаза. физ. Ред. Б. 2009; 80:075419. doi: 10.1103/PhysRevB.80.075419. [CrossRef] [Google Scholar]

38. Spizzirri P., Fang J.H., Rubanov S., Gauja E., Prawer S. Нано-рамановская спектроскопия поверхностей кремния. архив 20101002.2692 [Google Scholar]

39. Галлахер К., Велья П., Пол Д.Дж., Макларен И., Миронов М., Лидли Д.Р. Омические контакты к германию n-типа с низким удельным контактным сопротивлением. заявл. физ. лат. 2012;100:022113. doi: 10.1063/1.3676667. [Перекрестная ссылка] [Академия Google]

40. Lieten R., Degroote S., Kuijk M., Borghs G. Формирование омических контактов на Ge n-типа. заявл. физ. лат. 2008;92:022106. дои: 10.1063/1.2831918. [CrossRef] [Google Scholar]

41. Хабаньяма А. Расширенные применения материалов и устройств с германием. ИнтехОткрытый; Лондон, Великобритания: 2018. Процессы управления границей раздела для Ni/Ge и Pd/Ge Изготовление контактов Шоттки и омических контактов: часть первая; п. 47. [CrossRef] [Google Scholar]

42. Ли Р., Ми Л., Ван Дж., Мао М., Гу В., Чжу Ю. Влияние размера проводимости поликристаллических нанопроводов с квадратным поперечным сечением. Материалы. 2019;12:2129. doi: 10.3390/ma12132129. [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

43. Xue W., Gu W. Эффект размера проводимости поликристаллических металлических нанопроволок. АИП Пров. 2016;6:115001. doi: 10.1063/1.4967198. [CrossRef] [Google Scholar]

44. Seo K. I., Sharma S., Yasseri A.A., Stewart D.R., Kamins T.I. Плотность поверхностного заряда непассивированных и пассивированных металл-катализируемых кремниевых нанопроволок. Электрохим. Твердотельное письмо. 2006;9:G69. дои: 10.1149/1.2159295. [Перекрестная ссылка] [Академия Google]

45. Симанулланг М., Усами К., Ногучи Т., Суравия А., Кодера Т., Кавано Ю., Ода С. Поверхностная пассивация германиевых нанопроволок с использованием Al2O3 и HfO2, нанесенных методом атомно-слоевого осаждения. Япония. Дж. Заявл. физ. 2014;53:06JG04. doi: 10.7567/JJAP.53.06JG04. [CrossRef] [Google Scholar]

46. Colinge J.P., Colinge C.A. Физика полупроводниковых приборов. Издательство Kluwer Academic Publishers; Нью-Йорк, штат Нью-Йорк, США: 2005. [Google Scholar]

47. Ou X., Kanungo P.D., Kögler R., Werner P., Gösele U., Skorupa W., Wang X. Трехмерное профилирование несущей Si Nanowires с помощью сканирующей микроскопии сопротивления растеканию. Доп. Матер. 2010;22:4020–4024. doi: 10.1002/adma.